Výrobca Číslo produktu:
BSC16DN25NS3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventár:
6986 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799411
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC16DN25NS3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 32µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
920 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
62.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-5
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC16DN25
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC16DN25NS3GTR-DG
BSC16DN25NS3GDKR
BSC16DN25NS3GATMA1DKR
BSC16DN25NS3GATMA1TR
BSC16DN25NS3GCT
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
BSC16DN25NS3GATMA1CT
BSC16DN25NS3GCT-DG
BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3 G
BSC16DN25NS3GDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSS138N E6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
