Výrobca Číslo produktu:
BSC350N20NSFDATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC350N20NSFDATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventár:
3864 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799043
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC350N20NSFDATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2410 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC350
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC350N20NSFDATMA1CT
BSC350N20NSFDATMA1DKR
BSC350N20NSFDATMA1-DG
BSC350N20NSFDATMA1TR
SP001108124
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
