Výrobca Číslo produktu:
BSP603S2LHUMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSP603S2LHUMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 5.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventár:
12802973
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSP603S2LHUMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
33mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1390 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT223-4
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SP000013597
BSP603S2L-DG
SP000431792
BSP603S2L
BSP603S2LT
BSP603S2LHUMA1-DG
448-BSP603S2LHUMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BUK9832-55A/CUX
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
69490
ČÍSLO DIELU
BUK9832-55A/CUX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRLL2705TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
29143
ČÍSLO DIELU
IRLL2705TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7495TR
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
CMS16N06D-HF
MOSFET N-CH 60V 4.4A/16A DPAK
IPI80P03P405AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
