Výrobca Číslo produktu:
BSS159NH6906XTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS159NH6906XTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventár:
19956 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799017
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS159NH6906XTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
230mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
0V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 26µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
44 pF @ 25 V
Funkcia FET
Depletion Mode
Stratový výkon (max.)
360mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
BSS159
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSS159N H6906TR-DG
BSS159NH6906XTSA1DKR
BSS159NH6906XTSA1CT
BSS159N H6906DKR-DG
BSS159NH6906XTSA1TR
BSS159N H6906CT-DG
BSS159NH6906
2156-BSS159NH6906XTSA1TR
BSS159N H6906-DG
BSS159N H6906CT
BSS159N H6906
SP000702636
BSS159N H6906DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3