Výrobca Číslo produktu:
BSS87H6327XTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS87H6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Podrobný popis:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Inventár:
12800380
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS87H6327XTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SIPMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
240 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 108µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
97 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT89-4-2
Balenie / puzdro
TO-243AA
Základné číslo produktu
BSS87
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001195034
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSS87H6327FTSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25607
ČÍSLO DIELU
BSS87H6327FTSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
TN2524N8-G
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2765
ČÍSLO DIELU
TN2524N8-G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB65R095C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
