Výrobca Číslo produktu:
BSS87H6327FTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS87H6327FTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Podrobný popis:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Inventár:
25607 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801056
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS87H6327FTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
240 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 108µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
97 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT89-4-2
Balenie / puzdro
TO-243AA
Základné číslo produktu
BSS87
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
BSS87H6327FTSA1DKR
BSS87H6327FTSA1TR
BSS87H6327FTSA1CT
SP001047646
BSS87H6327FTSA1-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
