Výrobca Číslo produktu:
IPI320N20N3GAKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI320N20N3GAKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
12801064
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI320N20N3GAKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2350 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI320
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IPI320N20N3 G-DG
IPI320N20N3 G
SP000714312
2156-IPI320N20N3GAKSA1
IPI320N20N3G
INFINFIPI320N20N3GAKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3