Výrobca Číslo produktu:
BSR802NL6327HTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSR802NL6327HTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
Inventár:
127590 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801057
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSR802NL6327HTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 2.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
750mV @ 30µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.7 nC @ 2.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1447 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SC59-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
BSR802
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSR802NL6327HTSA1CT
BSR802NL6327HTSA1DKR
BSR802N L6327-DG
BSR802N L6327
BSR802N L6327INTR
SP000442484
BSR802NL6327HTSA1TR
BSR802N L6327INDKR-DG
BSR802N L6327INCT
BSR802NL6327
BSR802N L6327INDKR
BSR802N L6327INTR-DG
BSR802N L6327INCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3