Výrobca Číslo produktu:
BSZ0902NSATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSZ0902NSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventár:
99855 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800201
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
YTk1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSZ0902NSATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1700 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSDSON-8-FL
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSZ0902
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSZ0902NS
BSZ0902NS-DG
BSZ0902NSDKR-DG
SP000854386
BSZ0902NSATMA1CT
INFINFBSZ0902NSATMA1
BSZ0902NSCT
BSZ0902NSATMA1DKR
BSZ0902NSDKR
BSZ0902NSTR-DG
BSZ0902NSATMA1TR
BSZ0902NSCT-DG
2156-BSZ0902NSATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS127 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
IPD30N03S2L10ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3