Výrobca Číslo produktu:
IPD70N03S4L04ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD70N03S4L04ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
5130 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800214
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD70N03S4L04ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 30µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD70
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD70N03S4L04
IPD70N03S4L04ATMA1DKR
2156-IPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L04ATMA1TR
IPD70N03S4L-04DKR-DG
INFINFIPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L-04CT-DG
IPD70N03S4L-04-DG
IPD70N03S4L-04CT
IPD70N03S4L-04TR-DG
SP000274986
IPD70N03S4L-04
IPD70N03S4L-04TR
IPD70N03S4L04ATMA1CT
IPD70N03S4L-04DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
IPA50R500CE
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP
BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
