Výrobca Číslo produktu:
BSZ130N03MSGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSZ130N03MSGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventár:
16290 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800985
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSZ130N03MSGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSDSON-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSZ130
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
2156-BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGINCT
BSZ130N03MSGATMA1TR
BSZ130N03MS G
BSZ130N03MSGATMA1DKR
SP000313122
BSZ130N03MSGINDKR
INFINFBSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSG
BSZ130N03MSGINDKR-DG
BSZ130N03MSGATMA1CT
BSZ130N03MSGATMA1-DG
BSZ130N03MSGINTR
BSZ130N03MSGXT
BSZ130N03MSGINCT-DG
BSZ130N03MSGINTR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP
IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
