Výrobca Číslo produktu:
BSZ340N08NS3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSZ340N08NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventár:
46713 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801406
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSZ340N08NS3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Ta), 23A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
34mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 12µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
630 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSDSON-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSZ340
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSZ340N08NS3GINTR-DG
BSZ340N08NS3GATMA1TR
BSZ340N08NS3GINDKR-DG
BSZ340N08NS3GATMA1CT
BSZ340N08NS3GINCT
BSZ340N08NS3GINCT-DG
BSZ340N08NS3 G
SP000443634
BSZ340N08NS3GINDKR
BSZ340N08NS3GATMA1DKR
BSZ340N08NS3G
BSZ340N08NS3GINTR
BSZ340N08NS3GXT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
