Výrobca Číslo produktu:
IPA60R190P6XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA60R190P6XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
188 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799972
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA60R190P6XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 630µ
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1750 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA60R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001017080
2156-IPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6-DG
INFINFIPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC95R450P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
