Výrobca Číslo produktu:
IPB035N08N3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB035N08N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
977 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800594
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB035N08N3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 155µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8110 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
214W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB035
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB035N08N3G
SP000457588
IPB035N08N3 GTR-DG
IPB035N08N3GATMA1TR
IPB035N08N3 GDKR-DG
IPB035N08N3 G-DG
IPB035N08N3GATMA1CT
IPB035N08N3 GCT-DG
IPB035N08N3 GDKR
IPB035N08N3GATMA1DKR
IPB035N08N3 GCT
IPB035N08N3 G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PSMN3R3-80BS,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18942
ČÍSLO DIELU
PSMN3R3-80BS,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.37
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PSMN2R8-80BS,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
51094
ČÍSLO DIELU
PSMN2R8-80BS,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.57
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDB86366-F085
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
782
ČÍSLO DIELU
FDB86366-F085-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB160N75F3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
970
ČÍSLO DIELU
STB160N75F3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
