Výrobca Číslo produktu:
IPB117N20NFDATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB117N20NFDATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
900 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800602
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB117N20NFDATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
84A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 270µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6650 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB117
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB117N20NFDATMA1-DG
IPB117N20NFDATMA1CT
IPB117N20NFDATMA1TR
IPB117N20NFDATMA1DKR
SP001107232
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFA90N20X3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16
ČÍSLO DIELU
IXFA90N20X3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.14
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
