Výrobca Číslo produktu:
IXFA90N20X3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA90N20X3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventár:
16 Ks Nové Originálne Na Sklade
12822198
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA90N20X3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5420 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
390W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA (IXFA)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA90
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB117N20NFDATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
900
ČÍSLO DIELU
IPB117N20NFDATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.81
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
IXTA130N10T7
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
IXFH11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
