Výrobca Číslo produktu:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB081N06L3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
5151 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803619
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB081N06L3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 34µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4900 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
79W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB081
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF1503STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IPP77N06S212AKSA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPD60R450E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
