Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPB65R600C6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB65R600C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
Online RFQ
12800561
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB65R600C6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 210µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
440 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB65R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPB65R600C6ATMA1-DG
Technické listy
IPB65R600C6ATMA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB65R600C6ATMA1TR
IPB65R600C6
IPB65R600C6-DG
IPB65R600C6DKR-DG
SP000794382
IPB65R600C6ATMA1DKR
IPB65R600C6CT-DG
IPB65R600C6DKR
IPB65R600C6ATMA1CT
IPB65R600C6CT
IPB65R600C6TR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB8N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
531
ČÍSLO DIELU
STB8N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.20
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHD6N65ET1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHD6N65ET1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFA16N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFA16N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.80
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220