Výrobca Číslo produktu:
IPB80N03S4L02ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12801219
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80N03S4L02ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9750 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB80N03S4L-02INDKR-DG
IPB80N03S4L-02INTR-DG
IPB80N03S4L-02INCT
IPB80N03S4L02ATMA1TR
IPB80N03S4L-02INCT-DG
INFINFIPB80N03S4L02ATMA1
IPB80N03S4L-02INDKR
2156-IPB80N03S4L02ATMA1
SP000273282
IPB80N03S4L02ATMA1CT
IPB80N03S4L02ATMA1DKR
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L02
IPB80N03S4L-02-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IPL60R104C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON