IPL60R104C7AUMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPL60R104C7AUMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPL60R104C7AUMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 122W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Inventár:

8950 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801223
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPL60R104C7AUMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
104mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 490µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1819 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
122W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-VSON-4
Balenie / puzdro
4-PowerTSFN
Základné číslo produktu
IPL60R

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
448-IPL60R104C7AUMA1CT
INFINFIPL60R104C7AUMA1
448-IPL60R104C7AUMA1DKR
448-IPL60R104C7AUMA1TR
SP001298008
IPL60R104C7AUMA1-DG
2156-IPL60R104C7AUMA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
2A (4 Weeks)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPD082N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

infineon-technologies

IPN70R750P7SATMA1

MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223

infineon-technologies

IPP052NE7N3GHKSA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3