Výrobca Číslo produktu:
IPD082N10N3GBTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD082N10N3GBTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12801226
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD082N10N3GBTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 75µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3980 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD082N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD082N10N3GBTMA1TR
SP000485986
IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD100N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5739
ČÍSLO DIELU
STD100N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD082N10N3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31476
ČÍSLO DIELU
IPD082N10N3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.82
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
