Výrobca Číslo produktu:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPC100N04S5L1R9ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventár:
74514 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804595
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4310 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-34
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
IPC100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
IPC100N04S5L1R9ATMA1TR
2156-IPC100N04S5L1R9ATMA1
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
INFINFIPC100N04S5L1R9ATMA1
SP001360570
IPC100N04S5L1R9ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD18502Q5BT
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1325
ČÍSLO DIELU
CSD18502Q5BT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.14
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IRF8327STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
