Výrobca Číslo produktu:
IPD046N08N5ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD046N08N5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
2400 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801290
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD046N08N5ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.8V @ 65µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3800 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD046
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD046N08N5ATMA1CT
IPD046N08N5ATMA1-DG
SP001475652
448-IPD046N08N5ATMA1DKR
448-IPD046N08N5ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDD86367
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
40875
ČÍSLO DIELU
FDD86367-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
BSP171PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
