Výrobca Číslo produktu:
IPI65R190CFDXKSA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI65R190CFDXKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
12801294
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI65R190CFDXKSA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ CFD2
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 700µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1850 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
151W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI65R190
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SP001987344
448-IPI65R190CFDXKSA2
IPI65R190CFDXKSA2-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
BSP171PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
IPL60R180P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON