Výrobca Číslo produktu:
IPD075N03LGBTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD075N03LGBTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
12803292
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD075N03LGBTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
47W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD075
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP000249747
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD075N03LGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
17958
ČÍSLO DIELU
IPD075N03LGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.30
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP60R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
IPS20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
