IPD135N03LGXT
Výrobca Číslo produktu:

IPD135N03LGXT

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD135N03LGXT-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

12801258
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD135N03LGXT Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
31W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD135N

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD135N03LGINDKR
IPD135N03LGINTR-DG
IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINTR
IPD135N03LGXTTR
IPD135N03LGINDKR-DG
IPD135N03LG
IPD135N03LGXTCT
IPD135N03LGINCT-DG
IPD135N03LGXTDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
SUD50N03-06AP-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4333
ČÍSLO DIELU
SUD50N03-06AP-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.58
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN3016LK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11562
ČÍSLO DIELU
DMN3016LK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD135N03LGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31780
ČÍSLO DIELU
IPD135N03LGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
BUK9214-30A,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
32336
ČÍSLO DIELU
BUK9214-30A,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPC100N04S51R7ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

infineon-technologies

IPL65R420E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK

infineon-technologies

IPB11N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

infineon-technologies

IPD60R520CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3