IPD180N10N3GBTMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD180N10N3GBTMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD180N10N3GBTMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

12801585
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD180N10N3GBTMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 33µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1800 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
71W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD180N

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD180N10N3 GTR-DG
SP000482438
IPD180N10N3 G
IPD180N10N3GBTMA1CT
IPD180N10N3 GDKR-DG
IPD180N10N3G
IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-DG
IPD180N10N3GBTMA1TR
IPD180N10N3 GDKR
IPD180N10N3GXT
IPD180N10N3 G-DG
IPD180N10N3GBTMA1DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFR3710ZTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
14092
ČÍSLO DIELU
IRFR3710ZTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD70N10F4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD70N10F4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD45N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3621
ČÍSLO DIELU
STD45N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD180N10N3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6973
ČÍSLO DIELU
IPD180N10N3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STD47N10F7AG
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD47N10F7AG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPD65R1K4CFDATMA2

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

infineon-technologies

IPI075N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

infineon-technologies

IPB04N03LB

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

infineon-technologies

IPD50N06S214ATMA2

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31