Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPD180N10N3GBTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD180N10N3GBTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
Online RFQ
12801585
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD180N10N3GBTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 33µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1800 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
71W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD180N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPD180N10N3GBTMA1-DG
Technické listy
IPD180N10N3GBTMA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD180N10N3 GTR-DG
SP000482438
IPD180N10N3 G
IPD180N10N3GBTMA1CT
IPD180N10N3 GDKR-DG
IPD180N10N3G
IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-DG
IPD180N10N3GBTMA1TR
IPD180N10N3 GDKR
IPD180N10N3GXT
IPD180N10N3 G-DG
IPD180N10N3GBTMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFR3710ZTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
14092
ČÍSLO DIELU
IRFR3710ZTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD70N10F4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD70N10F4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD45N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3621
ČÍSLO DIELU
STD45N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD180N10N3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6973
ČÍSLO DIELU
IPD180N10N3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STD47N10F7AG
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD47N10F7AG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD65R1K4CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
IPI075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31