Výrobca Číslo produktu:
IPD50N06S214ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50N06S214ATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
3447 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801599
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50N06S214ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 80µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1485 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD50N06S214ATMA2DKR
448-IPD50N06S214ATMA2TR
448-IPD50N06S214ATMA2CT
IPD50N06S214ATMA2-DG
SP001063624
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
