Výrobca Číslo produktu:
IPD22N08S2L50ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
5000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800697
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD22N08S2L50ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 31µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
630 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
75W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD22N08
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP000252163
IPD22N08S2L-50-DG
IPD22N08S2L50ATMA1CT
IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L50ATMA1TR
IPD22N08S2L50ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI120N04S4-01M
MOSFET N-CH TO262-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
