Výrobca Číslo produktu:
IPD30N03S4L09ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
48073 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800246
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD30N03S4L09ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 13µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1520 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD30N03
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD30N03S4L-09-DG
IPD30N03S4L-09INTR-DG
IPD30N03S4L-09INCT
IPD30N03S4L-09INCT-DG
IPD30N03S4L-09
IPD30N03S4L09ATMA1CT
SP000415578
INFINFIPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09ATMA1TR
IPD30N03S4L-09INDKR
IPD30N03S4L-09INDKR-DG
2156-IPD30N03S4L09ATMA1
IPD30N03S4L09
IPD30N03S4L-09INTR
IPD30N03S4L09ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
BTS110E3045ANTMA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
