Výrobca Číslo produktu:
IPD30N10S3L34ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
35870 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803954
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD30N10S3L34ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 29µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1976 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
57W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD30N10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD30N10S3L-34TR
IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L34ATMA1DKR
IPD30N10S3L-34CT-DG
IPD30N10S3L34
SP000261248
IPD30N10S3L-34DKR-DG
IPD30N10S3L34ATMA1CT
IPD30N10S3L-34
IPD30N10S3L-34TR-DG
IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34-DG
IPD30N10S3L34ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
IPI120N06S402AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
