Výrobca Číslo produktu:
IRFH5104TR2PBF
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRFH5104TR2PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventár:
339 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803959
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFH5104TR2PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3120 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-VQFN Exposed Pad
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
400
Iné mená
IRFH5104TR2PBF-DG
IRFH5104TR2PBFDKR
SP001560360
IRFH5104TR2PBFTR
IRFH5104TR2PBFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STL140N4LLF5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STL140N4LLF5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR420TRPBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
IRFR3303TRL
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB085N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263