Výrobca Číslo produktu:
IPD50N03S4L06ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50N03S4L06ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
7500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801544
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50N03S4L06ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2330 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP000415580
IPD50N03S4L06ATMA1-DG
INFINFIPD50N03S4L06ATMA1
IPD50N03S4L06ATMA1CT
IPD50N03S4L06ATMA1TR
IPD50N03S4L06ATMA1DKR
2156-IPD50N03S4L06ATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP023N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
IPP086N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
