IPD90N04S405ATMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD90N04S405ATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD90N04S405ATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 86A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventár:

9335 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801549
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD90N04S405ATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
86A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 86A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 30µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2960 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
65W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD90

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD90N04S4-05-DG
IPD90N04S405ATMA1DKR
2156-IPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S4-05
IPD90N04S405ATMA1CT
INFINFIPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S405ATMA1TR
SP000711460

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

BSS670S2L

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3

infineon-technologies

AUIRF7478Q

MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

infineon-technologies

BSS315PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3