Výrobca Číslo produktu:
IPD50R1K4CEAUMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
4935 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50R1K4CEAUMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
13V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 70µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
178 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50R1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD50R1K4CEAUMA1DKR
ROCINFIPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
448-IPD50R1K4CEAUMA1TR
448-IPD50R1K4CEAUMA1CT
2156-IPD50R1K4CEAUMA1
SP001396808
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB120N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
BSO119N03S
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
