Výrobca Číslo produktu:
IPD5N25S3430ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD5N25S3430ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventár:
3038 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801031
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD5N25S3430ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 13µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
422 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD5N25
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
INFINFIPD5N25S3430ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1-DG
2156-IPD5N25S3430ATMA1
448-IPD5N25S3430ATMA1CT
SP000876584
448-IPD5N25S3430ATMA1TR
448-IPD5N25S3430ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
