Výrobca Číslo produktu:
IPD60R280P7SAUMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD60R280P7SAUMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
2511 Ks Nové Originálne Na Sklade
12816265
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD60R280P7SAUMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 190µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
761 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
53W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD60R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD60R280P7SAUMA1TR
IPD60R280P7SAUMA1-DG
IPD60R280P7SAUMA1CT
SP001658154
IPD60R280P7SAUMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7453
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7780MTRPBF
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
CSD25483F4
MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
