IPD60R600E6
Výrobca Číslo produktu:

IPD60R600E6

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD60R600E6-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

12800135
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD60R600E6 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™ E6
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
440 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD60R

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD60R600E6-DG
IFEINFIPD60R600E6
IPD60R600E6BTMA1
SP000797374
IPD60R600E6DKR
IPD60R600E6TR
2156-IPD60R600E6
IPD60R600E6CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STD8N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2230
ČÍSLO DIELU
STD8N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.06
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD10N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6542
ČÍSLO DIELU
STD10N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD10NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6369
ČÍSLO DIELU
STD10NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD60R600C6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9634
ČÍSLO DIELU
IPD60R600C6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STD9NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
STD9NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPB140N08S404ATMA1

MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7

infineon-technologies

IPB014N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7

infineon-technologies

IPD110N12N3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R800CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP