Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPD80R1K0CEATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD80R1K0CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
2125 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801465
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD80R1K0CEATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
785 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD80R1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPD80R1K0CEATMA1-DG
Technické listy
IPD80R1K0CEATMA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD80R1K0CEATMA1-DG
IPD80R1K0CEATMA1CT
SP001130974
IPD80R1K0CEATMA1DKR
IPD80R1K0CEATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK5P60W,RVQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9180
ČÍSLO DIELU
TK5P60W,RVQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TSM60NB900CP ROG
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2480
ČÍSLO DIELU
TSM60NB900CP ROG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPP120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
IPN50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223