Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPD90P03P4L04ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD90P03P4L04ATMA2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
6570 Ks Nové Originálne Na Sklade
12948676
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD90P03P4L04ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS®-P2
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 253µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+5V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
137W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD90
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPD90P03P4L04ATMA2-DG
Technické listy
IPD90P03P4L04ATMA2
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD90P03P4L04ATMA2DKR
448-IPD90P03P4L04ATMA2TR
SP002325742
448-IPD90P03P4L04ATMA2CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
IPP80P03P4L04AKSA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3