Výrobca Číslo produktu:
IPN50R650CEATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPN50R650CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventár:
13064104
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPN50R650CEATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™ CE
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
13V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
342 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT223-3
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
IPN50R650
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
IPN50R650CEATMA1TR
IPN50R650CEATMA1-ND
SP001434880
INFINFIPN50R650CEATMA1
IPN50R650CEATMA1DKR
IPN50R650CEATMA1CT
2156-IPN50R650CEATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IRF2204LPBF
MOSFET N-CH 40V 170A TO262
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO