Výrobca Číslo produktu:
IPP60R099C7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP60R099C7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventár:
13064022
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP60R099C7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ C7
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 490µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1819 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
110W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-1
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP60R099
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001298000
448-IPP60R099C7XKSA1
IPP60R099C7XKSA1-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP099N65S3
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FCP099N65S3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.57
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPZ60R099C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPZ60R099C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.21
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
IPF09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
BSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
