Výrobca Číslo produktu:
IPP60R299CPXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP60R299CPXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12803607
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP60R299CPXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 440µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
96W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP60R299
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IPP60R299CP
448-IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPX
SP000084280
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN-NDR
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXKSA1-DG
IPP60R299CPXTIN-DG
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
290
ČÍSLO DIELU
IXFP12N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP13N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
312
ČÍSLO DIELU
STP13N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.60
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STP18N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
470
ČÍSLO DIELU
STP18N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5605
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP13NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
87
ČÍSLO DIELU
STP13NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.64
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
IRF6726MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IPP90N06S404AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
