Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPP65R150CFDXKSA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP65R150CFDXKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
Online RFQ
12822953
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP65R150CFDXKSA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ CFD2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 900µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2340 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
195.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP65R150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPP65R150CFDXKSA2-DG
Technické listy
IPP65R150CFDXKSA2
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IPP65R150CFDXKSA2-DG
448-IPP65R150CFDXKSA2
SP001987348
2156-IPP65R150CFDXKSA2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP16N60N
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2766
ČÍSLO DIELU
FCP16N60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPW65R150CFDFKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
154
ČÍSLO DIELU
IPW65R150CFDFKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.14
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
TK17E65W,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12
ČÍSLO DIELU
TK17E65W,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP24N60DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
105
ČÍSLO DIELU
STP24N60DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPW65R150CFDFKSA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
214
ČÍSLO DIELU
IPW65R150CFDFKSA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.08
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFB7540PBF
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
IRFU3410
MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
IRFS7434TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
AUIRFR8405
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK