Výrobca Číslo produktu:
IPP90R500C3
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP90R500C3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12804189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP90R500C3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 740µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1700 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
156W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP90R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
IFEINFIPP90R500C3
2156-IPP90R500C3-IT
SP000413746
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
