Výrobca Číslo produktu:
IPQC65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPQC65R017CFD7XTMA1-DG
Popis:
HIGH POWER_NEW
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
Inventár:
13373442
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPQC65R017CFD7XTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
136A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12338 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
694W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-HDSOP-22
Balenie / puzdro
22-PowerBSOP Module
Základné číslo produktu
IPDQ65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
750
Iné mená
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPQC65R017CFD7AXTMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.09
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IPDQ65R017CFD7XTMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.19
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW