Výrobca Číslo produktu:
IPU80R2K8CEBKMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPU80R2K8CEBKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventár:
13064100
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPU80R2K8CEBKMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Balenie
Tube
Stav dielu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 120µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
290 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO251-3
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
IPU80R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
SP001100622
IFEINFIPU80R2K8CEBKMA1
2156-IPU80R2K8CEBKMA1-IT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCU3400N80Z
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1691
ČÍSLO DIELU
FCU3400N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3709S
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223