IPW60R070C6FKSA1
Výrobca Číslo produktu:

IPW60R070C6FKSA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPW60R070C6FKSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 53A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Inventár:

578 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805163
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPW60R070C6FKSA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
53A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1.72mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3800 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
391W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3-1
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IPW60R070

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
IPW60R070C6-DG
2156-IPW60R070C6FKSA1
IPW60R070C6
SP000645060
IPW60R070C6FKSA1-DG
448-IPW60R070C6FKSA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXFX64N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
911
ČÍSLO DIELU
IXFX64N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFX80N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
IXFX80N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK35N65W,S1F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15
ČÍSLO DIELU
TK35N65W,S1F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.78
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW65N65DM2AG
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
393
ČÍSLO DIELU
STW65N65DM2AG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.65
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STW45N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
224
ČÍSLO DIELU
STW45N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.46
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPD25CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

infineon-technologies

IRF6626

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR9024NTRRPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

infineon-technologies

IRFHM9391TRPBF

MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN