Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPW60R125C6FKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPW60R125C6FKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventár:
270 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801456
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPW60R125C6FKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 960µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2127 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
219W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3-1
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IPW60R125
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPW60R125C6FKSA1-DG
Technické listy
IPW60R125C6FKSA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IPW60R125C6FKSA1-DG
IPW60R125C6
SP000641912
2156-IPW60R125C6FKSA1
448-IPW60R125C6FKSA1
IPW60R125C6-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK25N60X,S1F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK25N60X,S1F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW34NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
300
ČÍSLO DIELU
STW34NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.32
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTH30N60L2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
475
ČÍSLO DIELU
IXTH30N60L2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
12.61
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW30N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
573
ČÍSLO DIELU
STW30N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXKH35N60C5
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
117
ČÍSLO DIELU
IXKH35N60C5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.79
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPL60R185C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
IPP052N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
IPB80N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3