IPW60R125P6XKSA1
Výrobca Číslo produktu:

IPW60R125P6XKSA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPW60R125P6XKSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventár:

12804111
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPW60R125P6XKSA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 960µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2660 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
219W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IPW60R125

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
ROCINFIPW60R125P6XKSA1
SP001114656
2156-IPW60R125P6XKSA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
TK28N65W,S1F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
30
ČÍSLO DIELU
TK28N65W,S1F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.69
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW30N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
573
ČÍSLO DIELU
STW30N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTH32N65X
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTH32N65X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.96
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPD65R1K4C6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3

infineon-technologies

IPS060N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

infineon-technologies

IPB029N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

infineon-technologies

IRF6633ATRPBF

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET